光化學(xué)反應(yīng)儀CY-GHX-A光催化降解裝置
更新時(shí)間:2020-08-06型 號(hào): | |
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光化學(xué)反應(yīng)儀CY-GHX-A光催化降解裝置,光化學(xué)反應(yīng)儀, 又稱為光化學(xué)反應(yīng)釜,多功能光化學(xué)反應(yīng)器.主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動(dòng)體系、紫外光或模擬可見(jiàn)光照、以及反應(yīng)容器是否負(fù)載TiO2光催化劑等條件下的光化學(xué)反應(yīng)。具有提供分析反應(yīng)產(chǎn)物和自由基的樣品,測(cè)定反應(yīng)動(dòng)力學(xué)常數(shù),測(cè)定量子產(chǎn)率等功能,廣泛應(yīng)用化學(xué)合成、環(huán)境保護(hù)以及生命科學(xué)等研究領(lǐng)域。
光化學(xué)反應(yīng)儀CY-GHX-A光催化降解裝置的詳細(xì)資料:
光化學(xué)反應(yīng)儀CY-GHX-A光催化降解裝置
主要特征:
1.采用智能微電腦控制,可觀察電流和電壓實(shí)時(shí)變化。
2. 具有分步定時(shí)功能,操作簡(jiǎn)便。
3.進(jìn)口光源控制器,內(nèi)置光源轉(zhuǎn)換器,功率連續(xù)可調(diào),穩(wěn)定性高 。
4. 高溫度保護(hù)系統(tǒng),自動(dòng)斷電功能。
5.反應(yīng)暗箱內(nèi)壁使用防輻射材料,且?guī)в杏^察窗。
6.采用內(nèi)照式光源,受光充分,燈源采用耐高壓防震材質(zhì),經(jīng)久耐用。
7.配有8(6/12可選)位磁力攪拌裝置,使樣品充分混勻受光。
8.雙層耐高低溫石英冷阱,可通入冷卻水循環(huán)維持反應(yīng)溫度。
9.機(jī)箱外部結(jié)構(gòu)設(shè)有循環(huán)水進(jìn)出口,內(nèi)部設(shè)有2個(gè)插座,供燈源和攪拌反應(yīng)器用。
光化學(xué)反應(yīng)儀或是氙燈光源應(yīng)如何選購(gòu)呢?
1氙燈光源平行光源一般是燈泡通過(guò)光學(xué)器件處理,而在需要高能量的場(chǎng)合則采用橢球反映射鏡。
2光化學(xué)反應(yīng)儀/氙燈光源在光化學(xué)中,可由平行光源與反映樣品部分構(gòu)成外照式輻照系(光以平行光束形式從反映系統(tǒng)由外而內(nèi)的進(jìn)行輻照)。
3光源至于那些燈源可構(gòu)成匯聚點(diǎn)光源,中心發(fā)散光源及平行光源則需具體情況具體討論。
4光源匯聚點(diǎn)光源通常用于單色儀分光,光纖導(dǎo)入或使用聚焦點(diǎn)的能量集中效應(yīng)(如熱效應(yīng))。
5光化學(xué)反應(yīng)儀光源散光源通常是對(duì)燈源未做任何處理(光以球面波形式向整個(gè)空間發(fā)散),在光化學(xué)中,通常冷阱、反應(yīng)器配合,光均勻的向反映物質(zhì)輻射,構(gòu)成所謂的內(nèi)照式輻照系(整個(gè)體系中,光由內(nèi)而外輻照)。
光化學(xué)反應(yīng)儀CY-GHX-A光催化降解裝置
光催化凈化技術(shù)主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)能。當(dāng)能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導(dǎo)體時(shí),光激發(fā)電子躍遷到導(dǎo)帶,形成導(dǎo)帶電子(e-),同時(shí)在價(jià)帶留下空穴階(h+)。由于半導(dǎo)體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長(zhǎng),它們能夠在電場(chǎng)作用下或通過(guò)擴(kuò)散的方式運(yùn)動(dòng),與吸附在半導(dǎo)體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎┝W觾?nèi)部或表面也能直接復(fù)合,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子,能夠無(wú)選擇的氧化多種有機(jī)物并使之礦化。
由于光催化還屬于一種新興的技術(shù),有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術(shù)、納米光催化劑的高活性和高壽命技術(shù)、納米光催化劑的固載化技術(shù)和納米光催化劑反應(yīng)的設(shè)計(jì)技術(shù),這些因素的實(shí)現(xiàn)勢(shì)必會(huì)使得凈化器價(jià)格攀升,從而影響推廣。然而該技術(shù)*大的不足在于,從利用太陽(yáng)光效率的角度看,半導(dǎo)體的光吸收波長(zhǎng)范圍狹窄,主要在紫外區(qū),利用太陽(yáng)光的比例低;光生載流子的復(fù)合率很高,導(dǎo)致量子效率較低。